Elektrooptická zařízení RTP

Vlastnosti produktu elektrooptických zařízení RTP

Možnost dodávky a další informace o RTP elektrooptických zařízeních

Balení a dodávka RTP elektrooptických zařízení

Prodejní jednotky: taška/tašky

Typ balení:Vakuové balení

Jsme odborníci v oblasti RTP elektrooptických zařízení. Coupletech poskytuje RTP EO Q-Switche. RTP Electro-Opitcal Devices je izomorfní krystal jako KTP krystal, který se používá v nelineárních a elektrooptických aplikacích. Má vyšší práh poškození (asi 1,8krát vyšší než KTP), vysoký měrný odpor a mohl by být použit s vysokou opakovací frekvencí, bez hygroskopie a bez piezoelektrického efektu. Vyznačuje se dobrou optickou transparentností od přibližně 400 nm do více než 4 µm a velmi důležité pro laserový provoz v dutině, zařízení RTP EO nabízí vysokou odolnost proti optickému poškození s výkonem téměř 1 GW/cm2 pro 1ns pulzy při 1064 nm. Celý přenosový rozsah je od 350nm do 4500nm.

RTP (Rubidium Titanyl Phosphate – RbTiOPO4) je dobrý elektrooptický krystal vhodný pro širokou škálu aplikací (jako jsou Q přepínače, amplitudové a fázové modulátory, snímače pulzů atd.) a provoz v průmyslu, lékařství. a obranné produkty. Krystal je transparentní na většině běžných viditelných a blízkých infračervených vlnových délkách laseru. Funguje dobře ve velmi širokém teplotním rozsahu a při velmi vysokých rychlostech opakování. Přepínače Q' založené na RTP jsou nabízeny v párových konfiguracích s kompenzací teploty. Při použití pro aplikace, jako jsou přepínače Q a amplitudové modulátory, jsou krystaly namontovány mnoha způsoby, pouze namontované nebo válcové pouzdro, dodatečný, jednoduchým způsobem upevnění, je vstupní paprsek polarizován podél úhlopříčky čela v krystalech založených na RTP .

Výhody RTP:
Vysoká frekvence opakování
Nehygroskopický
Velké nelineární optické a elektrooptické koeficienty
Nízké půlvlnné napětí
Žádné piezoelektrické vyzvánění
vysoký práh poškození;

Parametry RTP:
Přenos při 1064nm: >98,5 %
Dostupné otvory: 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 mm
Půlvlnná napětí při 1064nm: 1000V (3x3x10+10)
Kapsy Velikost buňky: průměr 20 mm pro clonu 3x3, clona 4x4, průměr 25,4 mm pro clonu 5x5
Kontrastní poměr: >23dB
Úhel přijetí: > 1°
Prahová hodnota poškození: >600 MW/cm2 při 1064nm 10ns
Stabilita v širokém teplotním rozsahu (-50℃ – +70℃)
Coupletech by mohl poskytnout nový design a vysokou spolehlivost RTP EO zařízení. Coupletech by také mohl poskytovat mnoho typů EO Q přepínačů, jako jsou BBO Pockels Cells, Sealed BBO Pockels Cells, DKDP (KD*P) Pockels Cell a LiNbO3 a MgO:LN Pockels Cell.
Hledáte ideálního výrobce a dodavatele zařízení RTP EO? Máme široký výběr zboží za ceny, které vám pomohou být kreativní. Všechny RTP EO Q přepínače jsou zaručeny kvalitou. Jsme továrna na Q Switch Devices založená na RTP v Číně. Máte-li jakékoli dotazy, neváhejte nás kontaktovat.